Muller+Ziegler變送器傳感器IgT-MU光耦合器隔離技術(shù)

Muller+Ziegler變送器傳感器IgT-MU光耦合器隔離技術(shù)

輸出端負(fù)載能力達(dá)500Ω（電流輸出）與10mA（電壓輸出），可直接驅(qū)動(dòng)后續(xù)控制模塊沈陽漢達(dá)森yyds吳亞男。

工業(yè)信號(hào)轉(zhuǎn)換的技術(shù)

在工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域，信號(hào)轉(zhuǎn)換與傳輸?shù)木戎苯佑绊懺O(shè)備運(yùn)行的穩(wěn)定性與生產(chǎn)效率。

作為德國(guó)百年企業(yè)Müller+Ziegler的旗艦產(chǎn)品，IgT-MU直流電流變送器憑借其高精度、抗干擾能力與模塊化設(shè)計(jì)，成為工業(yè)信號(hào)處理領(lǐng)域的品牌。

Müller+Ziegler型號(hào)

IgT-MU

SW 6010 1500/1 A

EQX 96 0-60/120/5 A

EQX 96 0-80/160/5 A

SW 3010 60/5 A

SW 3010 80/5 A

SW 3010, Nr. 54011

本文將從技術(shù)原理、核心優(yōu)勢(shì)及行業(yè)應(yīng)用三方面，解析這款產(chǎn)品的技術(shù)價(jià)值。

技術(shù)原理：預(yù)致密結(jié)構(gòu)與光耦合隔離的雙重突破

膨脹預(yù)致密PTFE材料的應(yīng)用

IgT-MU的核心傳感器采用膨脹預(yù)致密純?cè)鬯姆蚁╡-PTFE）材料，通過定向拉伸與熱處理工藝，使分子鏈形成高度有序的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。

這種結(jié)構(gòu)使材料初始密度提升至1.0g/cm3，較傳統(tǒng)PTFE提升30%以上，顯著增強(qiáng)了抗蠕變性能。

在高壓或溫度波動(dòng)場(chǎng)景下，材料變形率低于5%，確保長(zhǎng)期使用中信號(hào)傳輸?shù)姆€(wěn)定性。

光耦合器隔離技術(shù)

為解決工業(yè)現(xiàn)場(chǎng)電磁干擾問題，IgT-MU采用光耦合器實(shí)現(xiàn)輸入與輸出的電氣隔離。

輸入側(cè)的直流電流信號(hào)驅(qū)動(dòng)發(fā)光二極管（LED）發(fā)出光信號(hào)，通過光隔離層傳輸至輸出側(cè)的光敏三極管，完成信號(hào)轉(zhuǎn)換。這一過程有效阻斷了400A/m的外部磁場(chǎng)干擾，即使在強(qiáng)電磁環(huán)境中（如變頻器、電焊機(jī)附近），信號(hào)紋波仍可控制在15mVss以內(nèi)，滿足高精度控制需求。

雙輸出校準(zhǔn)與極性支持

IgT-MU配備雙路獨(dú)立輸出通道，支持0-20mA/0-10V與4-20mA/2-10V兩種信號(hào)標(biāo)準(zhǔn)切換，用戶可通過正面旋鈕快速調(diào)整。

其極性傳輸范圍覆蓋-20mA至+20mA或-10V至+10V，適配雙向電流監(jiān)測(cè)場(chǎng)景（如電機(jī)正反轉(zhuǎn)控制）。

Muller+Ziegler變送器傳感器IgT-MU光耦合器隔離技術(shù)